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US6M2GTR 零件图片（仅供参考）

US6M2GTR
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US6M2GTR 规格参数

  • 型号:US6M2GTR
  • 品牌:Rohm Semiconductor (Rohm,罗姆半导体)
  • 封装:TUMT6
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:N 和 P 沟道
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:30V，20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A，1A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:240 毫欧 @ 1.5A，4.5V，390 毫欧 @ 1A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA，2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.2nC @ 4.5V，2.1nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:80pF @ 10V，150pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:1W
  • 工作温度:150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-SMD，扁平引线
  • 供应商器件封装:TUMT6
  • US6M2GTR，ROHM（罗姆）产品一站式供应商。
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US6M2GTR 基本参数：

  • 电子零件型号：US6M2GTR
  • 原始制造厂商：ROHM（罗姆）
  • 技术标准参数：MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6
  • 产品应用分类：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 点击此处查询US6M2GTR的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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