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规格参数
制造商产品型号:SP8M3FU7TB1制造商:Rohm Semiconductor描述:MOSFET N/P-CH 30V 8SOP系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:-零件状态:停产FET类型:N 和 P 沟道FET功能:标准漏源电压(Vdss):30V25°C时电流-连续漏极(Id):5A(Ta),4.5A(Ta)不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):51毫欧 @ 5A,10V,56毫欧 @ 4.5A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):3.9nC @ 5V,8.5nC @ 5V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):230pF @ 10V,850pF @ 10V功率-最大值:2W(Ta)工作温度:150°C安装类型:表面贴装型封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)SP8M3FU7TB1,ROHM(罗姆)产品一站式供应商。
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