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零件图片(仅供参考)
规格参数
制造商产品型号:SP8M10FRATB制造商:Rohm Semiconductor描述:4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (AEC-Q10系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:Automotive, AEC-Q101零件状态:有源FET类型:N 和 P 沟道FET功能:逻辑电平栅极,4V 驱动漏源电压(Vdss):30V25°C时电流-连续漏极(Id):7A(Ta),4.5A(Ta)不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):25mOhm @ 7A,10V,56mOhm @ 4.5A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):8.4nC,8.5nC @ 5V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):600pF,850pF @ 10V功率-最大值:2W(Ta)工作温度:150°C安装类型:表面贴装型封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)SP8M10FRATB,ROHM(罗姆)产品一站式供应商。