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SH8KC5TB1 零件图片（仅供参考）

SH8KC5TB1

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SH8KC5TB1 规格参数

型号:SH8KC5TB1
品牌:Rohm Semiconductor (Rohm,罗姆半导体)
封装:8-SOP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:60V 3.5A, DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
系列:-
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
技术:MOSFET（金属氧化物）
配置:2 N-通道（双）
FET 功能:-
漏源电压（Vdss）:60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:95 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.1nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:135pF @ 30V
功率 - 最大值:2W（Ta）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:8-SOP
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SH8KC5TB1 基本参数：

电子零件型号：SH8KC5TB1
原始制造厂商：ROHM（罗姆）
技术标准参数：60V 3.5A, DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
产品应用分类：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
点击此处查询SH8KC5TB1的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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