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零件图片（仅供参考）
SCT2H12NZGC11
规格参数
  • 制造商产品型号：SCT2H12NZGC11
  • 制造商：罗姆半导体（ROHM Semiconductor）
  • 描述：SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）：1700V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.7A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：18V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.5 欧姆 @ 1.1A，18V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 900A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：14nC @ 18V
  • Vgs（最大值）：+22V，-6V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：184pF @ 800V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：35W（Tc）
  • 工作温度：175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-3PFM
  • SCT2H12NZGC11，ROHM（罗姆）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：SCT2H12NZGC11
  • 原始制造厂商：ROHM（罗姆）
  • 技术标准参数：SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询SCT2H12NZGC11的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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