RV4E031RPHZGTCR1（ROHM 罗姆，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：DFN1616-6W）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：RV4E031RPHZGTCR1

制造商：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：Automotive, AEC-Q101

零件状态：有源

FET类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

25°C时电流-连续漏极(Id)：3.1A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：105 毫欧 @ 3.1A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：4.8nC @ 5V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：460pF @ 10V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：1.5W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：DFN1616-6W

RV4E031RPHZGTCR1，ROHM（罗姆）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：RV4E031RPHZGTCR1

原始制造厂商：ROHM（罗姆）

技术标准参数：MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询RV4E031RPHZGTCR1的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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