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RQ3G150GNTB 零件图片（仅供参考）

RQ3G150GNTB
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RQ3G150GNTB 规格参数

  • 型号:RQ3G150GNTB
  • 品牌:Rohm Semiconductor (Rohm,罗姆半导体)
  • 封装:8-HSMT（3.2x3）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:不适用于新设计
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):39A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.2 毫欧 @ 15A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.6 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1450 pF @ 20 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-HSMT（3.2x3）
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
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RQ3G150GNTB 基本参数：

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