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RGT8NS65DGC9 零件图片（仅供参考）

RGT8NS65DGC9
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RGT8NS65DGC9 规格参数

  • 型号:RGT8NS65DGC9
  • 品牌:Rohm Semiconductor (Rohm,罗姆半导体)
  • 封装:TO-262
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH FS 650V 8A TO-262
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:不适用于新设计
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:8 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A
  • 功率 - 最大值:65 W
  • 开关能量:-
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:13.5 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/69ns
  • 测试条件:400V，4A，50欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr):40 ns
  • 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
  • 供应商器件封装:TO-262
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RGT8NS65DGC9 基本参数：

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