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RGT8BM65DTL 零件图片(仅供参考)

RGT8BM65DTL
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RGT8BM65DTL 规格参数

  • 型号:RGT8BM65DTL
  • 品牌:Rohm Semiconductor (Rohm,罗姆半导体)
  • 封装:TO-252
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH FS 650V 8A TO-252
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:不适用于新设计
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):12 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,4A
  • 功率 - 最大值:62 W
  • 开关能量:-
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:13.5 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:17ns/69ns
  • 测试条件:400V,4A,50欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):40 ns
  • 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • 供应商器件封装:TO-252
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RGT8BM65DTL 基本参数:

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