RGT30NS65DGTL（ROHM 罗姆，晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：RGT30NS65DGTL

制造商：Rohm Semiconductor

描述：IGBT 650V 30A 133W TO-263S

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：有源

IGBT类型：沟槽型场截止

电压-集射极击穿（最大值）：650V

电流-集电极(Ic)（最大值）：30A

电流-集电极脉冲(Icm)：45A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，15A

功率-最大值：133W

开关能量：-

输入类型：标准

栅极电荷：32nC

25°C时Td（开/关）值：18ns/64ns

测试条件：400V，15A，10 欧姆，15V

反向恢复时间(trr)：55ns

工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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基本参数：

电子零件型号：RGT30NS65DGTL

原始制造厂商：ROHM（罗姆）

技术标准参数：IGBT 650V 30A 133W TO-263S

产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

点击此处查询RGT30NS65DGTL的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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