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规格参数
制造商产品型号:RGT16NL65DGTL制造商:罗姆半导体(ROHM Semiconductor)描述:FIELD STOP TRENCH IGBT系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:有源IGBT类型:沟槽型场截止电压-集射极击穿(最大值):650V电流-集电极(Ic)(最大值):16A电流-集电极脉冲(Icm):24A不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,8A功率-最大值:94W开关能量:-输入类型:标准栅极电荷:21nC25°C时Td(开/关)值:13ns/33ns测试条件:400V,8A,10欧姆,15V反向恢复时间(trr):42ns工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:TO-263-3,DPak(2 引线 + 接片),TO-263ABRGT16NL65DGTL,ROHM(罗姆)产品一站式供应商。
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