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规格参数
制造商产品型号:R6020JNZ4C13制造商:Rohm Semiconductor描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO247G系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:-零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):600V25°C时电流-连续漏极(Id):20A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):15V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):234 毫欧 @ 10A,15V不同Id时Vgs(th)(最大值):7V @ 3.5mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):45nC @ 15VVgs(最大值):±30V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1500pF @ 100VFET功能:-功率耗散(最大值):252W(Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:通孔器件封装:TO-247GR6020JNZ4C13,ROHM(罗姆)产品一站式供应商。
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