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QS8M13TCR 零件图片（仅供参考）

QS8M13TCR
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QS8M13TCR 规格参数

  • 型号:QS8M13TCR
  • 品牌:Rohm Semiconductor (Rohm,罗姆半导体)
  • 封装:TSMT8
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:N 和 P 沟道
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）:30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A，5A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 6A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.5nC @ 5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:390pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:1.5W
  • 工作温度:150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SMD，扁平引线
  • 供应商器件封装:TSMT8
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QS8M13TCR 基本参数：

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