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零件图片（仅供参考）
QS5Y2FSTR
规格参数
  • 制造商产品型号：QS5Y2FSTR
  • 制造商：罗姆半导体（ROHM Semiconductor）
  • 描述：PNP+NPN DRIVER TRANSISTOR. DEVI
  • 系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
  • 零件状态：有源
  • 晶体管类型：NPN，PNP
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：3A
  • 电压-集射极击穿（最大值）：50V
  • 不同Ib、Ic时Vce饱和压降（最大值）：350mV @ 50mA，1A / 400mV @ 50mA，1A
  • 电流-集电极截止（最大值）：1A（ICBO）
  • 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)（最小值）：180 @ 50mA，3V
  • 功率-最大值：500mW
  • 频率-跃迁：320MHz，300MHz
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：SOT-23-5 细型，TSOT-23-5
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    基本参数：
  • 电子零件型号：QS5Y2FSTR
  • 原始制造厂商：ROHM（罗姆）
  • 技术标准参数：PNP+NPN DRIVER TRANSISTOR. DEVI
  • 产品应用分类：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
  • 点击此处查询QS5Y2FSTR的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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