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HT8KE6HTB1 零件图片（仅供参考）

HT8KE6HTB1
ROHM 订单到达，马上发货

HT8KE6HTB1 规格参数

  • 型号:HT8KE6HTB1
  • 品牌:Rohm Semiconductor (Rohm,罗姆半导体)
  • 封装:8-HSMT（3.2x3）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:100V 12.5A, DUAL NCH+NCH, HSMT8,
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 N-通道（双）
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:100V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Ta），12.5A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 4.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.3nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:320pF @ 50V
  • 功率 - 最大值:2W（Ta）， 14W（Tc）
  • 工作温度:150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装:8-HSMT（3.2x3）
  • HT8KE6HTB1，ROHM（罗姆）产品一站式供应商。
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HT8KE6HTB1 基本参数：

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