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零件图片（仅供参考）
EMD29T2R
规格参数
  • 制造商产品型号：EMD29T2R
  • 制造商：罗姆半导体（ROHM Semiconductor）
  • 描述：TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6
  • 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
  • 零件状态：有源
  • 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA，500mA
  • 电压-集射极击穿（最大值）：50V，12V
  • 电阻器-基极(R1)：1 千欧，10 千欧
  • 电阻器-发射极(R2)：10 千欧
  • 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)（最小值）：30 @ 5mA，5V / 140 @ 100mA，2V
  • 不同Ib、Ic时Vce饱和压降（最大值）：300mV @ 500A，10mA / 300mV @ 5mA，100mA
  • 电流-集电极截止（最大值）：500nA
  • 频率-跃迁：250MHz，260MHz
  • 功率-最大值：120mW
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：SOT-563，SOT-666
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    基本参数：
  • 电子零件型号：EMD29T2R
  • 原始制造厂商：ROHM（罗姆）
  • 技术标准参数：TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6
  • 产品应用分类：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
  • 点击此处查询EMD29T2R的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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