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BSM600D12P4G103 零件图片（仅供参考）

BSM600D12P4G103
ROHM 订单到达，马上发货

BSM600D12P4G103 规格参数

  • 型号:BSM600D12P4G103
  • 品牌:Rohm Semiconductor (Rohm,罗姆半导体)
  • 封装:模块
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 1200V 567A MODULE
  • 系列:-
  • 包装:盒
  • 产品状态:在售
  • 技术:碳化硅（SiC）
  • 配置:2 N-通道（双）
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:1200V（1.2kV）
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):567A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.8V @ 291.2mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:59000pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:1780W（Tc）
  • 工作温度:175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:模块
  • 供应商器件封装:模块
  • BSM600D12P4G103，ROHM（罗姆）产品一站式供应商。
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BSM600D12P4G103 基本参数：

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