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规格参数
制造商产品型号：BSM180C12P3C202制造商：罗姆半导体（ROHM Semiconductor）描述：SICFET N-CH 1200V 180A MODULE系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）：1200V25°C时电流-连续漏极(Id)：180A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 50mA不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-Vgs（最大值）：+22V，-4V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：9000pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：880W（Tc）工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：底座安装器件封装：模块BSM180C12P3C202，ROHM（罗姆）产品一站式供应商。
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