与Si半导体相比，SiC功率元件可进一步实现小型化、低功耗及高效化。它在高温环境下具备优良的工作特性，且开关损耗更低，作为新一代低损耗元件，备受期待。...

ROHM采用先进的技术以达到在各种封装类型中,提供各种高可靠性,低损耗产品。 ...

罗姆产品阵容丰富，且各具特色，如适用于移动设备的0.9V低压驱动MOSFET，世界首次开发的内置有电阻器的数字晶体管，组合了MOSFET、双极晶体管、数字晶体管、二极管的复合晶体管等。...

今后，ROHM将继续开发包括电源IC在内的各种节能型高性能模拟IC，并通过提供出色的电源解决方案，为众多应用产品的进一步节能贡献力量。...

在这种背景下，ROHM继2020年年底发布的新一代Pch MOSFET*2之后，此次又开发出在Nch中融入新微细工艺的第6代40V和60V耐压的MOSFET。...

此次，罗姆采用CMOS工艺和独创的电路技术，大幅减少了芯片尺寸。内置霍尔元件，不仅减少了零部件数量，而且实现了与以往的霍尔IC同等的小型薄型封装。...